杜乐娜          讲师

	所属学科	光学
	研究方向	半导体光电子学、低维材料物性与器件、太赫兹光谱物理
	招生方向	光学
	联系方式	duln@cnu.edu.cn

杜乐娜，首都师范大学物理系讲师，硕导。2019年于国家纳米科学中心获博士学位，2019-2021年在南方科技大学从事博士后研究，同期在北京大学物理学院进行交流合作。2021年进入首都师范大学工作。教学工作隶属于物理系的北京市物理实验教学示范中心，主要从事普通物理实验、大学物理实验、综合设计实验的教学。发表SCI论文10余篇，现主持国家自然科学基金1项、北京市教委项目1项。

1. 低维材料光谱学与光电子器件；

2. 异质结材料表界面耦合特性及应用；

3. 太赫兹光电子学与功能器件；

1. 主持国家自然科学基金青年基金，2024.1-2026.12，在研；

2. 主持北京市教委科技计划一般项目，2023.1-2025.12，在研；

1. He J, Qu Y, Chen S, Wang C*, Du L*, Du X, Zheng Y, Zhao G, Tian H*，Highly sensitive flexible strain sensor based on the two-dimensional semiconductor tellurium with a negative gauge factor. Science China Information Sciences, 2024, https://doi.org/10.1007/s11432-023-3938-y.

2. Ma L#, Du L#, Wang S, Wang Q, Xue S*, Zhu H* and Liu Q*. Dimension-dependent mechanical features of Au-nanocrystalline nanofilms. Nano Research, 2023, 16(12): 13400-13408.

3. Du L, Wang Z* and Zhao G* Novel intelligent devices: Two-dimensional materials based memristors. Frontiers of Physics, 2022, 17: 23602.

4. Wang J, Huang C, You Y, Guo Q, Xue G, Hong H, Jiao Q, Yu D, Du L*, Zhao Y* and Liu K*. Monitoring the material quality of two-dimensional transition metal dichalcogenides, Journal of Physics Chemistry C, 2022, 126 (8): 3797-3810.

5. Du L, Sun N, Chen Z, Li Y, Liu X, Zhong X, Wu X, Xie Y* and Liu Q*. Depletion-Mediated Uniform Deposition of Nanorods with Patterned, Multiplexed Assembly, ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 12 (43): 49200-49209.

6. Du L, Wang C, Xiong W, Wei B, Yang F, Chen S, Ma L, Wang X, Xia C, Zhang X*, Wang Z* and Liu Q*. Strain-Induced Band-Gap Tuning of 2D-SnSSe Flakes for Application in Flexible Sensors, Advanced Materials Technologies, 2020, 5 (1): 1900853.

7. Du L, Wang C, Xiong W, Zhang S, Xia C, Wei Z, Li J, Tongay S, Yang F, Zhang X*, Liu X* and Liu Q*. Perseverance of direct bandgap in multilayer 2D PbI2 under an experimental strain up to 7.69%, 2D Materials, 2019, 6: 025014.

8. Du L, Wang C, Fang J, Wei B, Xiong W, Wang X, Ma L, Wang X, Wei Z, Xia C, Li J*, Wang Z*, Zhang X* and Liu Q*. A ternary SnS1.26Se0.76 alloy for flexible broadband photodetectors, RSC Advances, 2019, 9 (25): 14352-14359.